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BGAV1A10E6327XTSA1

Name: Infineon BGAV1A10E6327XTSA1
Brand: Infineon Technologies
SKU: 726-BGAV1A10E6327XTS
Price: 0.34 EUR
Availability: Discontinued

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Mouser REF:

726-BGAV1A10E6327XTS

Fabr. N.º:

BGAV1A10E6327XTSA1

Fabr.:

Infineon Technologies

Descripción:

Amplificador de RF RF SILICON MMIC

Ciclo de vida:

NRND:

No se recomienda para nuevos diseños.

Hoja de datos:

BGAV1A10E6327XTSA1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Infineon
Categoría de producto:	Amplificador de RF
RoHS:
Frecuencia de operación:	3.4 GHz to 3.8 GHz
Voltaje operativo de suministro:	1.7 V to 1.9 V
Corriente de suministro operativa:	5 mA
Ganancia:	22 dB
NF - Valor de ruido:	1.3 dB
Tipo:	Low Noise Amplifiers
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	ATSLP-10-3
Tecnología:	Si
P1dB - Punto de compresión:	3 dBm
OIP3 - Interceptación de tercer pedido:	32 dBm
Temperatura operativa mínima:	- 30 C
Temperatura operativa máxima:	+ 85 C
Empaquetado:	Reel
Marca:	Infineon Technologies
Pérdida de retorno de entrada:	13 dB
Aislamiento dB:	32 dB
Número de canales:	1 Channel
Pd (disipación de potencia):	90 mW
Tipo de producto:	RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica:	4500
Subcategoría:	Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba:	3.5 GHz
Alias de parte #:	BGA V1A10 E6327 SP001628074
Peso unitario:	2,450 mg

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TARIC:: 8537109899
CNHTS:: 8542339000
CAHTS:: 8537109920
USHTS:: 8542330001
ECCN:: EAR99

BGAx1A10 LTE LNA with Gain Control

Infineon Technologies BGAx1A10 LTE Low Noise Amplifiers (LNA) with Gain Control are designed to significantly improve the data rate of LTE communications. These BGAx1A10 LNAs feature an integrated gain control, bypass function, high system flexibility, and a low noise figure. The bypass mode reduces current consumption, and the Mobile Industry Processor Interface (MIPI) control interface reduces the control lines to a minimum. The BGAx1A10 LNAs ensures high LTE data rates due to high gain feature and higher system flexibility due to integrated gain control.

Low Noise Amplifier (LNA) ICs

Infineon Technologies Low Noise Amplifier (LNA) ICs boost data rates and reception quality of wireless applications by utilizing a very low-power signal without significant signal-to-noise ratio degradation. The improved receiver sensitivity enhances user experiences and satisfies market requirements. These highly integrated, small-packaged devices come with ESD protection and low power consumption, which is ideal for battery-operated mobile devices. Users of 4G/5G, GPS, Mobile TV, Wi-Fi, and FM portable devices will enjoy high data-rate reception, fast/precise navigation, and smooth, high-quality streaming even in the worst reception conditions.