XHP™ 2 & 3 IGBT Modules

Infineon Technologies XHP™ 2 and 3 IGBT Modules are designed for high-power applications, ranging from 1.7kV to 6.5kV. The Infineon modules are ideal for demanding uses like traction, CAV, and medium-voltage drives. The devices offer scalable design, top-notch reliability, and the highest power density.

Resultados: 8
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT XHP2 module with TRENCHSTOPIGBT7 and emitter controlled 7 diode and NTC / pre-applied thermalinterface material
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Module Dual 2.3 kV 1.85 V 400 nA 2.4 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
24En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.2 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
19En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
11En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.8 kA 400 nA 1.8 MW Module Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT
Hoja de datos
3Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.68 V 1.4 kA 200 nA 1.4 MW + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT
Hoja de datos
3Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Module Module 1.7 kV 1.65 V 2 kA 20 mW + 150 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1200 A dual IGBT module
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 4
Múlt.: 4

Dual 1.7 kV 1.8 V 1.07 kA 400 nA 1.2 MW Module - 40 C + 175 C Tray