ART LDMOS RF Power Transistors

Ampleon Advanced Rugged Technology (ART) LDMOS RF Power Transistors are designed to cover a wide range of applications for ISM, broadcast, and communications. These power transistors feature dual-sided ESD protection, enabling class C operation and complete switch-off. The ART LDMOS RF power transistors offer high efficiency, excellent thermal stability, and excellent ruggedness with no device degradation. These power transistors feature nominal output powers of 35W and 2500W. The ART LDMOS RF power transistors are ideal for industrial, scientific, medical, broadcast, and radar applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor Tecnología Vds (Tensión separación drenador-fuente) Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Frecuencia de operación Ganancia Energía de salida Temperatura operativa máxima Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Empaquetado


Ampleon Transistores RF MOSFET ART35FE/SOT467C/TRAY 237En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel LDMOS 65 V 1.6 Ohms 1 MHz to 650 MHz 31 dB 35 W + 225 C Screw Mount SOT467C-3 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET ART2K5TPU/OMP-1230-6F/T&R No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 75 V 106 mOhms 1 MHz to 400 MHz 28..5 dB 2.5 kW + 225 C SMD/SMT OMP-1230-6F-2-7 Reel