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NVMFD027N10MCLT1G

Name: onsemi NVMFD027N10MCLT1G
Brand: onsemi
SKU: 863-VMFD027N10MCLT1G
Price: 1.73 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-VMFD027N10MCLT1G

Fabr. N.º:

NVMFD027N10MCLT1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET PTNG 100V LL SO8FL DUAL

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,73 €	1,73 €
	1,11 €	11,10 €
	0,747 €	74,70 €
	0,594 €	297,00 €
	0,521 €	521,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,521 €	781,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	138 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	35 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Qg (carga de compuertas):	11 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	164 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	MY
Tiempo de caída:	3.2 ns
Transconductancia delantera: mín.:	27 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	2.5 ns
Serie:	NVMFD027N10MCL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	19 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	7 ns

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Hoja de datos

NVMFD027N10MCLT1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFD027N10MCL Dual N-Channel Power MOSFET is a 100V, 28A, 26mΩ Automotive Power MOSFET designed for compact and efficient designs. The AEC-Q101-qualified and PPAP-capable device is housed in a 5mm x 6mm flat lead package with a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The onsemi NVMFD027N10MCL MOSFET features high thermal performance and low R_DS(on) to minimize conduction losses.