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CGH09120F

Name: MACOM CGH09120F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGH09120F
Price: 550.78 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGH09120F

Fabr. N.º:

CGH09120F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT UHF-2.5GHz, 120 Watt

Hoja de datos:

CGH09120F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	550,78 €	550,78 €
	490,37 €	4.903,70 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	120 V
Id: corriente de drenaje continuo:	28 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	56 W
Marca:	MACOM
Configuración:	Single
Ganancia:	21 dB
Voltaje máximo drenaje puerta:	28 V
Frecuencia operativa máxima:	2.5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	300 MHz
Energía de salida:	20 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	40
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor

MACOM CGH09120F GaN High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. This module allows for a high degree of DPD correction to be applied, making it ideal for MC-GSM, WCDMA, and LTE amplifier applications. This MACOM transistor is housed in a ceramic/metal flange package.