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RM10N100LDV-T

Name: Rectron RM10N100LDV-T
Brand: Rectron
SKU: 583-RM10N100LDV-T
Price: 1.06 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

583-RM10N100LDV-T

Fabr. N.º:

RM10N100LDV-T

Fabr.:

Rectron

Descripción:

MOSFET

Hoja de datos:

RM10N100LDV-T Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Pedido:: 2.500

Fecha prevista: 05/05/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

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Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,06 €	1,06 €
	0,659 €	6,59 €
	0,43 €	43,00 €
	0,33 €	165,00 €
	0,308 €	308,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,26 €	650,00 €
	0,242 €	1.210,00 €
	0,224 €	2.240,00 €
	0,217 €	5.425,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Rectron
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-2
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	100 V
Id: corriente de drenaje continuo:	10 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	130 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	21.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	40 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Rectron
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9.1 ns
Transconductancia delantera: mín.:	3.5 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	7.4 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

RM10N100LDV-T Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

Rectron RM10N100LD N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET uses trench technology to provide excellent RDS(ON) with a low gate charge. The device can be used in various applications.