Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs

Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET® Power MOSFETs offer co-packaged MOSFETs to reduce space and increase performance over two discrete. These Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs combine two MOSFETs into a compact package. By combining the devices into one package the Vishay Siliconix Dual N-Channel TrenchFET Power MOSFETs simplify the layout, reduces parasitic inductance from PCB traces, increases efficiency, and reduces ringing. Typical applications include system power, POL, and synchronous buck converters in notebooks.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 6 x 5 6.683En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-6x5-8 N-Channel 2 Channel 30 V 20 A, 60 A 4.7 mOhms, 2.2 mOhms - 16 V, 20 V 1.1 V 18 nC, 44.3 nC - 55 C + 150 C 20.2 W, 32.9 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAIR 3 x 3 6.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerPAIR-3x3-8 N-Channel 2 Channel 30 V 30 A, 40 A 9.5 mOhms, 5.1 mOhms - 16 V, 20 V 1 V 19 nC, 35 nC - 55 C + 150 C 16.7 W, 31 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel