MJD Automotive Medium Power Transistors

Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors are bipolar transistors that are AEC-Q101 qualified, PPAP capable, and manufactured in IATF16949 certified facilities. Each device has a collector-emitter breakdown voltage of 50V or 100V (minimum). The Diodes Inc. MJD Automotive Medium Power Transistors come in a TO-252 (DPAK) package and are ideal for power switching or amplification applications.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje colector-base VCBO
Voltaje emisor-base VEBO
Voltaje de saturación colector-emisor
Pd (disipación de potencia)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Cualificación
Empaquetado
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
5.679En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 50 V 70 V 7 V 300 mV 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
1.061En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.2 V 2.6 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
1.040En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 7 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Transistores bipolares - BJT Pwr Hi Voltage Transistor TO252 T&R 2.5K
Hoja de datos
2.395Fecha prevista: 29/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 NPN Single 100 V 120 V 7 V 1.5 V 2.7 W - 55 C + 150 C AEC-Q100 Reel, Cut Tape