DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET

Diodes Inc. DMT47M2LDVQ Dual N-Channel Enhancement-Mode MOSFET is a 40V MOSFET with a low RDS(ON) that minimizes on-state losses. The device offers low input capacitance and fast switching speed. Diodes Inc. DMT47M2LDVQ MOSFET is designed to meet the stringent requirements of automotive applications. It is qualified for AEC-Q101 and is supported by a PPAP.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
1.670En existencias
2.000Fecha prevista: 20/03/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000
Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape, MouseReel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 2K
Hoja de datos
84.000Disponible de fábrica
Más información disponible
Mín.: 2.000
Múlt.: 2.000
Bobina: 2.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 3.000
Múlt.: 3.000
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement Reel
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 31V-40V PowerDI3333-8 T&R 3K
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 24 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerDI3333-8 N-Channel 2 Channel 40 V 30.2 A 10.8 mOhms - 20 V, 20 V 2.3 V 14 nC - 55 C + 150 C 2.34 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape