P-Channel Enhancement Mode MOSFETs

Central Semiconductor P-Channel Enhancement Mode MOSFETs offer low rDS(ON) and low threshold voltage. CMUDM8004 and CMUDM8005 ULTRAmini™ MOSFETs, CMLDM8005 PICOmini™, and CMNDM8001 FEMTOmini™ devices are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. Central Semiconductor CMUDM8004 / CMUDM8005 and CMNDM8001 MOSFETs are manufactured by the P-channel DMOS process. CMLDM8005 features 350mW power dissipation.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 2.417En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT P-Channel 2 Channel 20 V 650 mA 360 mOhms - 8 V, 8 V 1.2 nC - 65 C + 150 C 350 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Central Semiconductor MOSFET SMD- Small Signal P-Channel Mosfet 101.701Disponible de fábrica
Mín.: 8.000
Múlt.: 8.000
Bobina: 8.000

Si 2.4 Ohms Reel