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SQS660CENW-T1_GE3

Name: Vishay SQS660CENW-T1_GE3
Brand: Vishay / Siliconix
SKU: 78-SQS660CENW-T1_GE3
Price: 1.14 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

78-SQS660CENW-T1_GE3

Fabr. N.º:

SQS660CENW-T1_GE3

Fabr.:

Vishay / Siliconix

Descripción:

MOSFET N-CHANNEL 60-V (D-S) 175C MOSFET

Hoja de datos:

SQS660CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,14 €	1,14 €
	0,719 €	7,19 €
	0,476 €	47,60 €
	0,372 €	186,00 €
	0,338 €	338,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,295 €	885,00 €
	0,28 €	1.680,00 €
	0,274 €	2.466,00 €
	0,268 €	6.432,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	Vishay
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	PowerPAK-1212-8W
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	60 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	11.2 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	17.4 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	62.5 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	TrenchFET
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	Vishay / Siliconix
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	5 ns
Transconductancia delantera: mín.:	26 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	4 ns
Serie:	SQS
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	TrenchFET Power MOSFET
Tiempo típico de retraso de apagado:	20 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	12 ns

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SQS660CENW-T1_GE3 Hoja de datos

Models

R-C Thermal Model Parameters

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET

Vishay / Siliconix SQS660CENW Automotive N-Ch 60V MOSFET is an AEC-Q101 qualified TrenchFET^® power MOSFET. The SQS660CENW is specified at 18A I_D and 60V V_DS. The single configuration device is offered in a PowerPAK^® 1212-8W package with an operating junction and storage temperature range of -55°C to +175°C.