UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor

onsemi UJ4N 750V 4.3mΩ Normally On SiC JFET Transistor exhibits ultra-low on resistance (RDS(on)) in a compact TOLL package. This feature makes it ideal for addressing the challenging thermal and space constraints of solid-state circuit breakers and relay applications. The UJ4N JFET from onsemi uses robust technology capable of the high-energy switching required in circuit protection applications.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Configuración Vds (Tensión separación drenador-fuente) Vgs (tensión de separación compuerta-fuente) Corriente de drenaje de la fuente en Vgs=0 Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Pd (disipación de potencia) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Serie Empaquetado
onsemi JFET UJ4N075005K4S 476En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

SiC Through Hole TO-247-4 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.8 mOhms 714 W - 55 C + 175 C UJ4N Tube
onsemi JFET UJ4N075004L8S 57En existencias
2.000Fecha prevista: 11/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.000

SiC SMD/SMT MO-229-8 N-Channel Single 750 V - 30 V to 30 V 13 uA 120 A 4.3 mOhms 1.153 kW - 55 C + 175 C UJ4N Reel, Cut Tape