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BST400D12P4A101

Name: ROHM Semiconductor BST400D12P4A101
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-BST400D12P4A101
Price: 527.34 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-BST400D12P4A101

Fabr. N.º:

BST400D12P4A101

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

Módulos MOSFET half-bridge module consisting of SiC-MOSFETs, suitable for Automotive application, Inverter, Converter, and (Hybrid) electrical vehicles EV/HEV.

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	527,34 €	527,34 €
	445,54 €	4.455,40 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	Módulos MOSFET
Tecnología:	SiC
Estilo de montaje:	Press Fit
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	1.2 kV
Id: corriente de drenaje continuo:	394 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	8.6 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 4 V, + 21 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	4.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	1.667 kW
Empaquetado:	Bulk
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Dual
Tiempo de caída:	42 ns
Producto:	Power Module
Tipo de producto:	MOSFET Modules
Tiempo de establecimiento:	102 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	80
Subcategoría:	Discrete and Power Modules
Nombre comercial:	EcoSiC
Tiempo típico de retraso de apagado:	198 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	119 ns

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Specification Sheets

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Códigos de cumplimiento

USHTS:: 8541590080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: Japón
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

High-Density SiC Power Modules

ROHM Semiconductor High-Density Silicon Carbide (SiC) Power Modules are designed to support high-efficiency power conversion in automotive and industrial applications. The lineup includes several package platforms such as TRCDRIVE pack™, HSDIP20, and DOT-247, each optimized for different power classes and system requirements. These packages integrate SiC MOSFETs into compact module structures that enable high power density, stable switching performance, and efficient thermal management. Depending on the package, configurations such as 2-in-1, 4-in-1, and 6-in-1 are available, providing flexibility for a wide range of power conversion and motor drive applications.

BST400D12P4A1x1 TRCDRIVE pack™ with Molded Modules

ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 TRCDRIVE pack™ with 2-in-1 SiC Molded Modules feature 1200V rated voltage in a compact package with 41.6mm × 52.5mm dimensions. These modules integrate 4th Generation SiC MOSFETs for a power-dense design that greatly reduces the size of electric vehicle (xEV) inverters. ROHM Semiconductor BST400D12P4A101 and BST400D12P4A111 modules support up to 300kW and feature a terminal configuration designed to meet the critical challenges of traction inverters regarding miniaturization, higher efficiency, and fewer person-hours. These modules do not require soldering for the signal terminals, offering ease of use for designers.