PrimePACK™3+ B-Series Modules

Infineon Technologies PrimePACK™3+ B-Series Modules are designed with Trench/Fieldstop IGBT5 and emitter-controlled 5 diodes. These modules feature extended operating temperature, high short-circuit capability, and unbeatable robustness. The PrimePACK™3+ modules offer high creepage and clearance distances, high power and thermal cycling capability, and high power density. These modules are ideal for high-power converters, motor drives, solar equipment, UPS systems, traction drives, and wind turbines.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje colector-emisor VCEO máx.
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1800 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 2.1 V 1.8 kA 400 nA Module - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Hoja de datos
5En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 900 A dual IGBT module
Hoja de datos
6En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT 1200 V, 1500 A dual IGBT module
Hoja de datos
8En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.2 kV 1.7 V 1.5 kA 400 nA - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies FF1500R17IP5PBPSA1
Infineon Technologies Módulos IGBT 1700 V, 1500 A dual IGBT module
Hoja de datos
2En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules Dual 1.7 kV 1.75 V 1.5 kA 400 nA 1.5 MW - 40 C + 175 C Tray
Infineon Technologies Módulos IGBT PP IHM I
Hoja de datos
Plazo producción 13 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Silicon Modules 1.2 kV 1.7 V 1.8 kA 400 nA 250 mm x 89 mm - 40 C + 175 C Tray