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FDMC8200

Name: onsemi FDMC8200
Brand: onsemi
SKU: 512-FDMC8200
Price: 1.12 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

512-FDMC8200

Fabr. N.º:

FDMC8200

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET DUAL N-CHANNEL PowerTrench

Hoja de datos:

FDMC8200 Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Empaquetado:

Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Cinta extraída

MouseReel™ (+5,00 €)

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
Cinta / MouseReel™ ^†
	1,12 €	1,12 €
	0,697 €	6,97 €
	0,462 €	46,20 €
	0,363 €	181,50 €
	0,328 €	328,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,286 €	858,00 €

† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver. ↩

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	Power-33-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	2 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	18 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	16 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 20 V, 20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	1 V
Qg (carga de compuertas):	7.3 nC, 16 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	1.9 W, 2.2 W
Modo canal:	Enhancement
Nombre comercial:	PowerTrench
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Empaquetado:	MouseReel
Marca:	onsemi
Configuración:	Dual
País de ensamblaje:	Not Available
País de difusión:	Not Available
País de origen:	TH
Tiempo de caída:	1.3 ns, 6 ns
Transconductancia delantera: mín.:	29 S, 56 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	3.1 ns, 4 ns
Serie:	FDMC8200
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	2 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	35 ns, 38 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	11 ns, 13 ns
Peso unitario:	186 mg

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

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Fairchild ofrece la gama de MOSFET PowerTrench® más amplia del sector. Elija entre las diferentes tecnologías para obtener el MOSFET adecuado para su aplicación. Fairchild ofrece versiones de canal N y canal P de los MOSFET con su avanzado proceso Power Trench®, que ha sido optimizado para un rendimiento de conmutación R_DS(ON) bajo y para mejorar su resistencia. Estos MOSFET PowerTrench® se ofrecen con opciones para satisfacer las necesidades de la mayoría de aplicaciones, como conmutadores de carga, conmutación primaria, dispositivos móviles, convertidores CC-CC, rectificadores síncronos y mucho más.
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FDMC8200/FDMC8296 Dual N-Ch PowerTrench® MOSFET

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