VS-SCx0BA120 SiC Single Phase Bridge Diodes

Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 Silicon Carbide (SiC) Single Phase Bridge Schottky Diodes are high-performance, 1200V, rugged components for efficient power conversion in various applications. Utilizing SiC technology, these diodes offer superior thermal conductivity and high-voltage capabilities. These wide band gap Schottky diodes deliver high-speed hard switching and efficient operation over a wide temperature range (-40°C to +175°C). Typical applications include AC/DC PFC and DC/DC ultra high-frequency output rectification in FBPS and LLC converters. The Vishay Semiconductors VS-SCx0BA120 Silicon Carbide (SiC) Single Phase Bridge Schottky Diodes are recommended for all applications suffering from Silicon ultrafast recovery behavior.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Vishay Diodos Schottky de SiC Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Dio
Hoja de datos
154En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount SOT-227-4 Single 1.2 kV 2.48 V 524 A 10 uA - 40 C + 175 C SC90 Tube
Vishay Diodos Schottky de SiC Modules Rectifiers - SOT-227 SiC Dio
Hoja de datos
154En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount SOT-227-4 Single 1.2 kV 2.13 V 343 A 6.6 uA - 40 C + 175 C SC50 Tube