Resultados: 15
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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707En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 500V 8A N-CH MOSFET
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865En existencias
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Si Through Hole TO-262-3 Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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3.969En existencias
10.800Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET MOSFET N-CHANNEL 500V
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1.597En existencias
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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3.974En existencias
Mín.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO252 500V 8A N-CH MOSFET
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2.244En existencias
Mín.: 1
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO262 500V 8A N-CH MOSFET
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1.052En existencias
4.000Fecha prevista: 29/04/2026
Mín.: 1
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Si Through Hole TO-262-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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3.738En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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1.125En existencias
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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1.293En existencias
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: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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235En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 39 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO263 500V 8A N-CH MOSFET
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2.697En existencias
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Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 63 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay / Siliconix MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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9.900Pedido
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Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET TO220 500V 8A N-CH MOSFET
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3.972Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 4 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Tube
Vishay Semiconductors MOSFET N-Chan 500V 8.0 Amp
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Plazo producción 14 Semanas
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Mín.: 1
Múlt.: 1
: 800

Si SMD/SMT D2PAK-3 (TO-263-3) N-Channel 1 Channel 500 V 8 A 850 mOhms - 30 V, 30 V 2 V 38 nC - 55 C + 150 C 125 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel