QPA2211D

Qorvo
772-QPA2211D
QPA2211D

Fabr.:

Descripción:
Amplificador de RF GaN Amplifier

Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.
Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.

Disponibilidad

Existencias:
No en almacén
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica.
Mínimo: 10   Múltiples: 10
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
562,25 € 5.622,50 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Qorvo
Categoría de producto: Amplificador de RF
Restricciones de envío:
 Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:  
27.5 GHz to 31 GHz
22 V
280 mA
26 dB
Power Amplifiers
SMD/SMT
Die
GaN SiC
- 40 C
+ 85 C
QPA2211D
Gel Pack
Marca: Qorvo
Kit de desarrollo: QPA2211DEVB03
Pérdida de retorno de entrada: 12 dB
Número de canales: 1 Channel
Pd (disipación de potencia): 40 W
Tipo de producto: RF Amplifier
Cantidad del paquete de fábrica: 10
Subcategoría: Wireless & RF Integrated Circuits
Frecuencia de prueba: 31 GHz
Peso unitario: 2,140 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

TARIC:
8542330000
USHTS:
8542330001
ECCN:
3A001.b.2.c

QPA2210D & QPA2211D 27-31GHz GaN Power Amplifiers

Qorvo QPA2210D and QPA2211D GaN Ka-Band Power Amplifiers operate between a 27GHz and 31GHz frequency range to support satellite communications and 5G infrastructure. The amplifiers are fabricated on Qorvo's 0.15µm gallium nitride (GaN) on silicon carbide (SiC) process. The amplifiers are also fully matched to 50Ω with integrated DC blocking caps on both I/O ports. The amplifiers are 100% DC and RF tested on-wafer to ensure compliance with electrical specifications.