CG2H40xx & CG2H30xx GaN HEMTs

MACOM CG2H40xx and CG2H30xx Gallium Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistors (HEMTs) are designed to operate from a 28V rail. These transistors offer a general-purpose broadband solution to a variety of RF and microwave applications. The high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities make these HEMTs ideal for linear and compressed amplifier circuits. MACOM CG2H40xx and CG2H30xx transistors offer design flexibility with a wide variety of package types, including screw-down, solder-down, pill, and flange. Typical applications include broadband amplifiers, cellular infrastructure, and radar.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-8.0GHz, 10 Watt
Hoja de datos
902En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 1.5 A - 2.7 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-4.0GHz, 45 Watt
Hoja de datos
640En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440193 N-Channel 120 V 6 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN GaN HEMT
Hoja de datos
350En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440223 N-Channel 125 V 18 A - 3.8 V - 40 C + 150 C 150 W
MACOM FET de GaN GaN HEMT DC-6.0GHz, 25 Watt
Hoja de datos
815Fecha prevista: 30/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440166 N-Channel 120 V 3 A - 3.8 V - 40 C + 150 C
MACOM FET de GaN 70W, DC-4.0GHz, 28V, RF Power GaN HEMT
Hoja de datos
32En existencias
60Fecha prevista: 27/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Screw Mount 440224 N-Channel 120 V 12 A - 3.8 V - 40 C + 150 C