RQxAT P-Channel MOSFETs

ROHM Semiconductor RQxAT P-Channel features surface mount packaging with low ON resistance and are 100% Rg and UIS tested. These P-channel MOSFETs offer a gate-source voltage of ±20V. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs feature a maximum drain-source ON resistance of 240mΩ and 99mΩ, respectively. These P-channel MOSFETs are RoHS compliant and halogen-free. The RQ3N025AT and RQ5L030AT MOSFETs offer a drain-source voltage of -80V and -60V, respectively. These P-channel MOSFETs operate within the -55°C to 150°C temperature range. Typical applications include switching and motor drives.

Resultados: 2
Seleccionar Imagen Número de referencia
 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -80V -2.5A, HSMT8, Power MOSFET
Hoja de datos
2.320En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT HSMT-8 P-Channel 1 Channel 80 V 7 A 240 mOhms 20 V 4 V 13 nC - 55 C + 150 C 14 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Pch -60V -3.0A, SOT-346T, Small Signal MOSFET
Hoja de datos
2.400En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000
Si SMD/SMT SOT-346T-3 P-Channel 1 Channel 60 V 3 A 99 mOhms 20 V 2.5 V 17.2 nC - 55 C + 150 C 1 W Enhancement Reel, Cut Tape