CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs

Infineon Technologies CoolMOS™ 7 Superjunction MOSFETs are optimized for energy efficiency, power density, and ease of use. CoolMOS 7 technology is optimized for specific applications with innovative package concepts and various technologies. CoolMOS 7 MOSFETS are ideal for applications like making electric vehicle charging stations smaller with higher outputs resulting in faster car charging. Thanks to CoolMOS 7, adapters and chargers can be made smaller, lighter, and more efficient. With CoolMOS 7, engineers can make renewable energy systems cheaper and more efficient.

Resultados: 195
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
3.000En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
70En existencias
240Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 35 A 52 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 55 C + 150 C 162 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
223En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 19 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
197En existencias
240Fecha prevista: 16/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 26 A 100 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 36 nC - 55 C + 150 C 95 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
288En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 125 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 36 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube

Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 46A TO247-3 CoolMOS C7
Hoja de datos
206En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 46 A 40 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 93 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
386En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 24 A 84 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 45 nC - 55 C + 150 C 128 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
174En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1.494En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 7.4 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
538En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 6 A 770 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 15 nC - 55 C + 150 C 45 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET CONSUMER
Hoja de datos
196En existencias
4.500Fecha prevista: 23/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-251-3 N-Channel 1 Channel 700 V 8.5 A 490 mOhms - 16 V, 16 V 2.5 V 10.5 nC - 40 C + 150 C 43.1 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
231En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 800 V 17 A 280 mOhms - 30 V, 30 V 3 V 36 nC - 50 C + 150 C 101 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
37.680Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 145 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 25 nC - 55 C + 150 C 72 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
2.720Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 50 A 34 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 107 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 26/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 11 A 120 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 34 nC - 55 C + 150 C 32 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.665Fecha prevista: 30/07/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT VSON-4 N-Channel 1 Channel 600 V 29 A 65 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 68 nC - 40 C + 150 C 180 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
3.000Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
6.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
906Fecha prevista: 21/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 48 A 49 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 67 nC - 55 C + 150 C 164 W Enhancement CoolMOS Tube

Infineon Technologies MOSFET HIGH POWER_NEW
Hoja de datos
1.601Fecha prevista: 14/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 37 A 69 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 51 nC - 55 C + 150 C 129 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
2.500Fecha prevista: 16/04/2026
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 800 V 1.5 A 4.5 Ohms - 30 V, 30 V 3 V 4 nC - 50 C + 150 C 13 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
1.000Fecha prevista: 02/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 12 A 214 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 18 nC - 55 C + 150 C 24 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET LOW POWER_NEW
Hoja de datos
915Fecha prevista: 06/03/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 800 V 8 A 510 mOhms - 20 V, 20 V 2.5 V 20 nC - 55 C + 150 C 28 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET N-Ch 650V 11A TO220-3
Hoja de datos
500Fecha prevista: 28/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 650 V 11 A 199 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 20 nC - 55 C + 150 C 63 W Enhancement CoolMOS Tube