Resultados: 12
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
566En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 329 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
441En existencias
2.250Fecha prevista: 02/07/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 270 A 8 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 375 nC - 55 C + 150 C 1.249 kW Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
663En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 750

Si SMD/SMT PG-HDSOP-22 N-Channel 1 Channel 650 V 127 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 625 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1.494En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 134 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 694 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape, MouseReel
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1.033En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 101 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 543 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1.823En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 2.000

Si SMD/SMT PG-HSOF-8 N-Channel 1 Channel 650 V 67 A 40 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement CoolMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
1.317En existencias
720Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
674En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
185En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 116 A 18 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 173 nC - 55 C + 150 C 521 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
117En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 62 A 70 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 80 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
445En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 45 A 60 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 52 nC - 55 C + 150 C 227 W Enhancement CoolMOS Tube
Infineon Technologies MOSFET 650V CoolMOS CM8 Power Transistor
Hoja de datos
83En existencias
240Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole PG-TO247-4 N-Channel 1 Channel 650 V 90 A 25 mOhms - 20 V to 20 V 4.7 V 124 nC - 55 C + 150 C 201 W Enhancement CoolMOS Tube