Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVMFS4C03NWFET1G

Name: onsemi NVMFS4C03NWFET1G
Brand: onsemi
SKU: 863-NVMFS4C03NWFET1G
Price: 1.26 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-NVMFS4C03NWFET1G

Fabr. N.º:

NVMFS4C03NWFET1G

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET NFET SO8FL 30V 138A 2.1MO

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS4C03NWFET1G Hoja de datos

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVMFS4C03NWFET1G

En existencias: 1.243

Existencias:: 1.243 Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Plazo de producción de fábrica:: 53 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,26 €	1,26 €
	0,792 €	7,92 €
	0,526 €	52,60 €
	0,412 €	206,00 €
	0,378 €	378,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,347 €	520,50 €
	0,313 €	1.408,50 €
	0,304 €	2.736,00 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFNW-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	30 V
Id: corriente de drenaje continuo:	159 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.7 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.2 V
Qg (carga de compuertas):	45.2 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	77 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	17 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	27 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFS4C03NWFET1G Hoja de datos

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS4C03NWFET1G Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency device designed for demanding power management applications. Housed in a compact 5mm x 6mm PowerFLAT package, the NVMFS4C03NWFET1G delivers excellent thermal performance and low R_DS(on), as low as 0.9mΩ at 10V, making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current circuits. This onsemi MOSFET supports fast switching speeds and is optimized for use in DC-DC converters, synchronous rectification, load switching, and motor control applications. A robust design and high avalanche energy rating make the NVMFS4C03NWFET1G suitable for use in telecom, server, and industrial power systems where reliability and efficiency are critical. The NVMFS4C03NWFET1G offers a balance of performance, size, and ruggedness, making it a versatile choice for modern power electronics.