Half Bridge IGBTs

Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs feature Trench IGBT technology and current ratings of 100A, 150A, and 200A. These IGBTs have low conduction losses, low junction-to-case thermal reduction, and a direct mounting to heatsink design. Half Bridge IGBTs offer Gen 4 FRED Pt® anti-parallel diodes with ultra-soft reverse recovery characteristics. Vishay Semiconductors Half Bridge IGBTs are optimized for high-current inverter stages, such as AC TIG welding machines.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Configuración
Voltaje de saturación colector-emisor
Corriente continua del colector a 25 C
Corriente de fuga puerta-emisor
Pd (disipación de potencia)
Empaquetado / Estuche
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Hoja de datos
30En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 372 A 360 nA 789 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Hoja de datos
13En existencias
15Fecha prevista: 26/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 193 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Hoja de datos
17En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 247 A 240 nA 517 W Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Hoja de datos
12En existencias
15Fecha prevista: 21/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 476 A 480 nA 1 kW Module - 40 C + 175 C Bulk
Vishay Semiconductors Módulos IGBT Modules IGBT - IAP IGBT
Hoja de datos
15Fecha prevista: 24/02/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

IGBT Modules Half Bridge 650 V 96 A 120 nA 259 W Module - 40 C + 175 C Bulk