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CGHV14800F

Name: MACOM CGHV14800F
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV14800F
Price: 1345.19 EUR
Availability: OutOfStock

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Mouser REF:

941-CGHV14800F

Fabr. N.º:

CGHV14800F

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN GaN HEMT 1.2-1.4GHz, 800 Watt

Hoja de datos:

CGHV14800F Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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	1.345,19 €	13.451,90 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440117
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	150 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	- 3.8 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 100 C
Marca:	MACOM
Kit de desarrollo:	CGHV14800F-TB
Ganancia:	14 dB
Frecuencia operativa máxima:	1.4 GHz
Frecuencia operativa mínima:	1.2 GHz
Energía de salida:	800 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V to 2 V
Peso unitario:	71 g

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CGHV14800F Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

CGHV14800 GaN HEMT

MACOM CGHV14800F 800W Gallium-Nitride (GaN) High Electron Mobility Transistor (HEMT) is designed specifically for high efficiency, high gain, and wide bandwidth capabilities. The module is ideal for 1.2GHz to 1.4GHz L-band radar amplifier applications, such as air traffic control (ATC), weather, penetration, and military. MACOM CGHV14800F GaN HEMT operates at 50V, typically delivering more than 65% drain efficiency. This device is supplied in a ceramic/metal flange type 440117 package.