750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs

Wolfspeed 750V Discrete Silicon Carbide MOSFETs feature higher breakdown voltage, offering increased design margin to support customer applications. These MOSFETs enable high system power density with a low-profile design in the TO-247-4 LP package and surface mount technology in the TO-263-7 XL package options. This enables designers to select the right part for their application. The Wolfspeed 750V MOSFETs facilitate efficient power conversion in diverse power systems. These systems include high-performance industrial power supplies, energy storage systems in Electrical Vehicle (EV) converters, and EV HVAC motor drives.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Hoja de datos
267En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 65 nC - 55 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
624En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4LP, Automotive, Gen4
Hoja de datos
335En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4LP N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 52 nC - 55 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 15mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
1.199En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 156 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 180 nC - 55 C + 175 C 554 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
261En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 21 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 119 nC - 40 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
423En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 42 A 60 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 65 nC - 40 C + 175 C 139 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 60mohm, 750V, TO-247-4 LP, Industrial
Hoja de datos
370En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 35 A 78 mOhms - 8 V, + 19 V 2.6 V 52 nC - 40 C + 175 C 126 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 15mohm, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
111En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 128 A 15 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 191 nC - 40 C + 175 C 372 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
644En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 84 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 114 nC - 55 C + 175 C 281 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 25mohm, 750V, TO-247-4, Automotive, Gen4
Hoja de datos
167En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 750 V 80 A 25 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 119 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
Wolfspeed MOSFET de SiC SiC, MOSFET, 45mohm, 750V, TO-263-7 XL T&R, Automotive, Gen4
Hoja de datos
694En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT TO-263-7XL N-Channel 1 Channel 750 V 46 A 45 mOhms - 8 V, + 19 V 3.8 V 62 nC - 55 C + 175 C 171 W Enhancement