CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Central Semiconductor
610-CDM22011600LRFPS
CDM22011-600LRFP SL PBFREE

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-Ch 11A PFC FET 600V 4.45nC 0.3Ohm

Ciclo de vida:
Pedido especial de fábrica:
Obtenga un presupuesto para comprobar el precio actual, el plazo de entrega y los requisitos del pedido del fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 353

Existencias:
353 Puede enviarse inmediatamente
Las cantidades mayores que 353 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
2,64 € 2,64 €
1,32 € 13,20 €
1,18 € 118,00 €
0,955 € 477,50 €
0,929 € 929,00 €
0,903 € 2.257,50 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Central Semiconductor
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-220-3
N-Channel
1 Channel
600 V
11 A
300 mOhms
- 30 V, 30 V
2 V
23.05 nC
- 55 C
+ 150 C
25 W
Enhancement
UltraMOS
Tube
Marca: Central Semiconductor
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Cantidad del paquete de fábrica: 50
Subcategoría: Transistors
Peso unitario: 2 g
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99

CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs

Central Semiconductor CxxDM Surface-Mount Enhancement-Mode MOSFETs are designed for high-speed pulsed amplifier and driver applications. These MOSFETs offer a very low RDS(ON) and low threshold voltage.

MOSFET de potencia de canal N de silicio CDMxx

Central Semiconductor CDMxx Silicon N-Channel Power MOSFETs are designed for high voltage, fast switching applications like Power Factor Correction (PFC), lighting and power inverters. These MOSFETs combine high voltage capability with low rDS(ON), low threshold voltage, and low gate charge for optimal efficiency.
Learn More