SIA429DJT-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SIA429DJT-T1-GE3
SIA429DJT-T1-GE3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET -20V Vds 8V Vgs Thin PowerPAK SC-70

Modelo ECAD:
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En existencias: 3.270

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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:
Empaquetado:
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
Cinta / MouseReel™
0,765 € 0,77 €
0,473 € 4,73 €
0,307 € 30,70 €
0,236 € 118,00 €
0,212 € 212,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
0,182 € 546,00 €
† La tarifa de 5,00 € de MouseReel™ se añadirá y calculará en el carro de compra. Los pedidos de MouseReel™ no se pueden cancelar ni devolver.

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SC-70-6
P-Channel
1 Channel
20 V
12 A
20.5 mOhms
- 8 V, 8 V
1 V
62 nC
- 55 C
+ 150 C
3.5 W
Enhancement
TrenchFET, PowerPAK
Reel
Cut Tape
MouseReel
Marca: Vishay Semiconductors
Configuración: Single
Tipo de producto: MOSFETs
Serie: SIA
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Alias de parte #: SIA429DJT-GE3
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CNHTS:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99

SiA429DJT 20V P-Channel MOSFETs

Vishay / Siliconix SiA429DJT 20V P-Ch TrenchFET® Power MOSFETs offer a low on-resistance for a P-Channel device with a sub-0.8mm profile. Vishay / Siliconix SiA429DJT TrenchFET Power MOSFETs come in a thermally enhanced Thin PowerPAK® SC-70 package with an ultra-low 0.6mm profile. The SiA429DJT is ideal for DC/DC converters and load and charger switches. The lower on-resistance translates into lower conduction losses.