RB098BGE Schottky Barrier Diodes

ROHM Semiconductor RB098BGE Schottky Barrier Diodes are high reliability, power mold type devices. The RB098BGE features super low IR and a cathode common dual type. The device also features a silicon epitaxial planar structure.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
Tecnología
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky RECT 60V 6A SM SKY BARRI
Hoja de datos
2.359En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 60 V 830 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky RECT 30V 3A SM SKY BARRI
Hoja de datos
2.490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 35 V 720 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor Diodos y rectificadores Schottky RECT 40V 3A SM SKY BARRI
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 2.500
Múlt.: 2.500
Bobina: 2.500

Schottky Diodes SMD/SMT TO-252-3 Dual Anode Common Cathode Si 6 A 45 V 770 mV 50 A 1.5 uA + 150 C Reel