LET RF Power Transistors

STMicroelectronics LET RF Power Transistors are a common source N-Channel enhancement-mode lateral field-effect RF power transistor. These transistors are based on the new advanced STH5P LDMOS technology and are targeted for operation up to 2.0GHz. STMicroelectronics LET RF Power Transistors are specifically designed for 28V (cellular base stations) and 32/36V (avionics) applications. These devices have a significant improvement in terms of RF performance (+3dB gain, +15% efficiency), ruggedness, and reliability makes this new product line ideal in applications such as private mobile radio, government communications, avionics systems, and L-band satellite uplink equipment.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Id: corriente de drenaje continuo
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET 150 W, 28/32 V, HF to 1 GHz RF power LDMOS transistor
Hoja de datos
No en almacén
Mín.: 100
Múlt.: 100
Bobina: 100

N-Channel Si 2.5 A 28 V 1 Ohms 945 MHz 16 dB 150 W + 200 C Through Hole LBB-4 Reel
STMicroelectronics Transistores RF MOSFET RF Power LDMOS transistor HF up to 1.5 GHz
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 28 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

N-Channel Si 9 A 90 V 1.5 GHz + 200 C SMD/SMT M243-3 Bulk