PWD5F60 High Density Power Driver

STMicroelectronics PWD5F60 High Density Power Driver combines gate drivers and four N-channel power MOSFETs in a dual half-bridge configuration into a single, compact System-in-Package (SiP) device. The integrated power MOSFETs have a drain-source on resistance, or RDS(ON), of 1.38Ω and a drain-source breakdown voltage of 600V. The high side for the embedded gate drivers can be easily supplied by the integrated bootstrap diode. The high integration of the PWD5F60 Power Driver enables efficient drive loads in space-constrained applications.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Producto
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Número de controladores
Número de salidas
Corriente de salida
Tensión del suministro - Mín
Tensión del suministro - Máx
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
STMicroelectronics Controlador de puerta High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Hoja de datos
330En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Tray
STMicroelectronics Controlador de puerta High-density power driver - High voltage full bridge with integrated comparators
Hoja de datos
403En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

MOSFET Gate Drivers Half-Bridge SMD/SMT VFQFPN-15 2 Driver 2 Output 3.5 A 10 V 20 V - 40 C + 125 C PWD5F60 Reel, Cut Tape