Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Name: onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM
Brand: onsemi
SKU: 863-FS5830NLWFT1G-UM
Price: 2.55 EUR
Availability: OutOfStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

863-FS5830NLWFT1G-UM

Fabr. N.º:

NVMFS5830NLWFT1G-UM

Fabr.:

onsemi

Descripción:

MOSFET NFET SO8FL 40V 172A 2.3M0

Ciclo de vida:

Nuevo producto:

Novedad de este fabricante.

Hoja de datos:

NVMFS5830NLWFT1G-UM Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre onsemi NVMFS5830NLWFT1G-UM

Disponibilidad

Existencias:: 0

Aún puede comprar este producto como pedido pendiente.

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 1.500

Fecha prevista: 10/04/2026
Plazo de producción de fábrica:: 40

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	2,55 €	2,55 €
	1,65 €	16,50 €
	1,22 €	122,00 €
	1,02 €	510,00 €
	0,877 €	877,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 1500)
	0,877 €	1.315,50 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-5
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	185 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	2.3 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.4 V
Qg (carga de compuertas):	113 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	158 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	onsemi
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	27 ns
Transconductancia delantera: mín.:	38 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	32 ns
Serie:	NVMFS5830NL
Cantidad del paquete de fábrica:	1500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	40 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	22 ns

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

NVMFS5830NLWFT1G-UM Hoja de datos (PDF)

TARIC:: 8541290000
USHTS:: 8541290095
ECCN:: EAR99

NVMx & NVTx Power MOSFETs

onsemi NVMx and NVTx Power MOSFETs are AEC−Q101 Qualified and offer compact and efficient solutions for automotive applications. NVMx and NVTx Power MOSFETs offer Low R_DS(on) to minimize conduction losses and low Q_G and Capacitance to minimize driver losses. These onsemi single N-Channel MOSFETs are housed in a compact, SO-8FL, and WDFN8 packages and are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free, and RoHS Compliant.

N-Channel 40V & 60V Automotive Power MOSFETs

onsemi NVMFSCx Automotive Power 40V and 60V MOSFETs are available in 5mm x 6mm dual-sided cooled packages ideal for compact and efficient designs. The single N-Channel devices feature 1.5mΩ and 0.9mΩ R_DS(on) drain-source on-resistance to minimize conductive losses. The MOSFETs includes a wettable flank option available for enhanced optical inspection. The devices are also AEC-Q101-qualified and PPAP-capable, making them suitable for automotive applications.

NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET

onsemi NVMFS5830NL Single N-Channel Power MOSFET is a high-efficiency power MOSFET designed for demanding power management applications. Utilizing advanced trench technology, the onsemi NVMFS5830NL delivers exceptionally low R_DS(on) performance (2.3mΩ at V_GS = 10V), making the MOSFET ideal for minimizing conduction losses in high-current systems. The 5mm x 6mm x 1mm, flat-lead SO-8FL package enhances thermal performance and board space efficiency, while the low gate charge and fast switching characteristics contribute to improved overall system efficiency. A wettable flank option is available for enhanced optical inspection. With the combination of high current capability, low switching losses, and a compact footprint, the NVMFS5830NL is well-suited for use in motor control applications and high-/low-side load switches.