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RH7G04CBKFRATCB

Name: ROHM Semiconductor RH7G04CBKFRATCB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RH7G04CBKFRATCB
Price: 1.85 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RH7G04CBKFRATCB

Fabr. N.º:

RH7G04CBKFRATCB

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Nch 40V 40A, DFN3333T8LSAB, Power MOSFET for Automotive

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,85 €	1,85 €
	1,19 €	11,90 €
	0,818 €	81,80 €
	0,693 €	346,50 €
	0,605 €	605,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 3000)
	0,513 €	1.539,00 €
	0,506 €	4.554,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	DFN-8
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	40 V
Id: corriente de drenaje continuo:	40 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	5 mOhms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	20 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	2.5 V
Qg (carga de compuertas):	19.1 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Pd (disipación de potencia):	62 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	9..3 ns
Transconductancia delantera: mín.:	11 S
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	10.5 ns
Cantidad del paquete de fábrica:	3000
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	41.7 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	14.3 ns

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

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