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NDSH40120CDN

Name: onsemi NDSH40120CDN
Brand: onsemi
SKU: 863-NDSH40120CDN
Price: 15.38 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

863-NDSH40120CDN

Fabr. N.º:

NDSH40120CDN

Fabr.:

onsemi

Descripción:

Diodos Schottky de SiC SIC DIODE GEN2.0 1200V TO247-3L

Hoja de datos:

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Modelo ECAD:

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	onsemi
Categoría de producto:	Diodos Schottky de SiC
RoHS:
REACH - SVHC:
Estilo de montaje:	Through Hole
Empaquetado / Estuche:	TO-247-3LD
Configuración:	Dual Anode Common Cathode
If - Corriente delantera:	52 A
Vrrm - Tensión inversa repetitiva:	1.2 kV
Vf - Tensión delantera:	1.36 V
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera:	123 A
Ir - Corriente inversa:	2.39 uA
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 175 C
Serie:	NDSH40120CDN
Empaquetado:	Tube
Marca:	onsemi
Pd (disipación de potencia):	217 W
Tipo de producto:	SiC Schottky Diodes
Cantidad del paquete de fábrica:	30
Subcategoría:	Diodes & Rectifiers
Nombre comercial:	EliteSiC
Vr - Tensión inversa:	1.2 kV

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Material Composition Disclosure

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541100000
CNHTS:: 8541590000
USHTS:: 8541100080
ECCN:: EAR99

Clasificaciones de origen

País de origen:: China
País de origen del ensamblaje:: China
País de difusión:: República de Corea

El país puede cambiar en el momento del envío.

D3 EliteSiC Diodes

onsemi D3 EliteSiC Diodes are a solution for applications requiring high-power PFC and output rectification. The onsemi D3 has a maximum voltage rating of 1200V. These diodes come in two package options, TO-247-2LD and TO-247-3LD, providing flexibility for various designs. The D3 EliteSiC Diodes are optimized for high-temperature operation with low series-resistance temperature dependency, ensuring consistent and reliable performance even under extreme conditions.

Diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN

El diodo Schottky de carburo de silicio (SiC) NDSH40120CDN de onsemi proporciona un rendimiento de conmutación superior y una mayor fiabilidad que el silicio. El diodo de onsemi no tiene corriente de recuperación inversa, además de ofrecer características de conmutación independientes de la temperatura y un rendimiento térmico excelente. Entre las ventajas del sistema se incluyen una eficiencia máxima, una frecuencia de funcionamiento más rápida, una mayor densidad de potencia, una reducción de EMI y un menor tamaño y coste del sistema.