W957D8MFYA5I TR

Winbond
454-W957D8MFYA5ITR
W957D8MFYA5I TR

Fabr.:

Descripción:
DRAM 128Mb HyperRAM x8, 200MHz, Ind temp, 1.8V, T&R

Ciclo de vida:
Comprobar el estado con la fábrica:
La información del ciclo de vida no está clara. Obtenga un presupuesto para comprobar la disponibilidad de este número de referencia del fabricante.
Modelo ECAD:
Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

En existencias: 1.800

Existencias:
1.800 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
53 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Las cantidades mayores que 1800 estarán sujetas a requisitos de pedido mínimo.
Plazo de entrega largo indicado para este producto.
Mínimo: 1   Múltiples: 1   Máximo: 100
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
6,58 € 6,58 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2000)
6,58 € 13.160,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Winbond
Categoría de producto: DRAM
RoHS:  
HyperRAM
128 Mbit
8 bit
200 MHz
TFBGA-24
16 M x 8
1.7 V
2 V
- 40 C
+ 85 C
Reel
Cut Tape
Marca: Winbond
Sensibles a la humedad: Yes
Estilo de montaje: SMD/SMT
Tipo de producto: DRAM
Cantidad del paquete de fábrica: 2000
Subcategoría: Memory & Data Storage
Productos encontrados:
Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla
Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.
Atributos seleccionados: 0

Códigos de cumplimiento
CNHTS:
8542329010
CAHTS:
8542320020
USHTS:
8542320002
MXHTS:
8542320299
ECCN:
EAR99
Clasificaciones de origen
País de origen:
Taiwán
País de origen del ensamblaje:
No disponible
País de difusión:
No disponible
El país puede cambiar en el momento del envío.

Low Power HYPERRAM®

Winbond Low Power HYPERRAMs® are mobile DRAM with a high-speed SDRAM device internally configured as an 8-bank memory and uses a Double Data Rate (DDR) architecture on the Command/Address (CA) bus. This HYPERRAM features low pin count, low power consumption, and easy control to improve the performance of end devices. These IoT edge devices and human-machine interface devices require functionality in size, power consumption, and performance. These HYPERRAM memory devices provide technical solutions and address the rapid rise of IoT edge devices and human-machine interface devices. These HYPERRAMs offer 45mW power at 1.8V in hybrid sleep mode, significantly different from the standby mode of SDRAM. The HYPERRAM supports the HyperBus interface and is a solution to address the rapid rise of automotive electronics, industrial 4.0, and smart home applications.