MOSFET de potencia N-Ch R60/R65

Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 de ROHM Semiconductor proporcionan una salida de canal único con una tensión de fuente de drenaje de 600 V o 650 V en un paquete TO-220FM-3. Los MOSFET R60/R65 tienen una temperatura de funcionamiento comprendida entre -55 °C y +150 °C, así como opciones de disipación de potencia de 40 W, 46 W, 48 W, 53 W, 68 W, 74 W u 86 W. Los MOSFET de potencia N-Ch R60/R65 son ideales para aplicaciones de conmutación.

Resultados: 56
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 30A N-CH MOSFET
Hoja de datos
2.933En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 30 A 130 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 56 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 20A N-CH MOSFET
Hoja de datos
710En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 61 nC - 55 C + 150 C 68 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 30A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.980En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 650 V 30 A 140 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 90 nC - 55 C + 150 C 86 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4.919En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 70 nC - 55 C + 155 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 600V 24A N-CH MOSFET
Hoja de datos
1.932En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 24 A 165 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 45 nC - 55 C + 150 C 74 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
2.441En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 348 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 18A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
990En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C 81 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 38A TO-247, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
898En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 96 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 50 nC - 55 C + 150 C Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 650V 1.7A TO-252, Low-noise Power MOSFET
Hoja de datos
3.477En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 650 V 1.7 A 4 Ohms - 20 V, 20 V 4 V 6.5 nC - 55 C + 150 C 26 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
965En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 10 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 92 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
Hoja de datos
996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 390 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 15 nC - 55 C + 150 C 47 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 2A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
6.832En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1 A 3.25 Ohms - 30 V, 30 V 7 V 7 nC - 55 C + 150 C 6.6 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
Hoja de datos
7.443En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 2.15 Ohms - 20 V, 20 V 7 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
7.862En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 1.3 A 1.5 Ohms - 20 V, 20 V 5.5 V 8 nC - 55 C + 150 C 7.8 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
7.383En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.4 A 980 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 15 nC - 55 C + 150 C 9.1 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
7.675En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 4.000

Si SMD/SMT SOT-223-3 N-Channel 1 Channel 600 V 2.8 A 870 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 12.3 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO252 650V 42A N-CH MOSFET
Hoja de datos
4.966En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 42 A 260 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 20 nC - 55 C + 150 C 132 W Enhancement Reel, Cut Tape
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 60A N-CH MOSFET
Hoja de datos
996En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 60 A 185 mOhms - 20 V, 20 V 6 V 28 nC - 55 C + 150 C 182 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
1.969En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO220 650V 66A N-CH MOSFET
Hoja de datos
994En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220FM-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 65 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 66A N-CH MOSFET
Hoja de datos
581En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247G-3 N-Channel 1 Channel 600 V 66 A 165 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 33 nC - 55 C + 150 C 205 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
1.951En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 245 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
Hoja de datos
1.988En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220AB-3 N-Channel 1 Channel 600 V 81 A 135 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 40 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET TO247 650V 183A N-CH MOSFET
Hoja de datos
594En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 183 A 60 mOhms - 30 V, 30 V 6 V 76 nC - 55 C + 150 C 568 W Enhancement Tube