PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diodes

Nexperia PSC1065K Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode is designed for ultra-high performance, low-loss, high-efficiency power conversion applications. The Nexperia PSC1065K SiC Schottky diode is encapsulated in a Real-2-Pin (R2P) TO-220-2 (SOT8021) through-hole power plastic package. The product offers temperature-independent capacitive turn-off, zero recovery switching behavior, and an outstanding figure-of-merit (QC x VF). The Merged PiN Schottky (MPS) diode improves the robustness expressed in a high IFSM.

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Configuración
If - Corriente delantera
Vrrm - Tensión inversa repetitiva
Vf - Tensión delantera
Ifsm - Corriente de sobretensión delantera
Ir - Corriente inversa
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Empaquetado
Nexperia Diodos Schottky de SiC RECT 650V 10A RDL SCHOTTKY
Hoja de datos
876En existencias
MouseReel Disponible
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 50

Through Hole TO-220-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia Diodos Schottky de SiC PSC1065J-Q/SOT8018/TO263-2L
Hoja de datos
800Fecha prevista: 18/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 800

SMD/SMT D2PAK-2 Single 10 A 650 V 1.5 V 440 A 1 uA - 55 C + 175 C Reel, Cut Tape