HMC637BPM5E MMICs

Analog Devices Inc. HMC637BPM5E Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) are gallium arsenide (GaAs), pseudomorphic high electron mobility transistors (pHEMT), cascode distributed power amplifiers. Analog Devices MMICs are self-biased in normal operation and feature optional bias control for quiescent current (IDQ) adjustment and the second-order intercept (IP2) and third-order intercept (IP3) optimization. The amplifiers operate from DC to 7.5GHz, providing 15.5dB of small signal gain and 28dBm output power at 1dB gain compression. The devices also feature a typical output IP3 of 39dBm, and a 3.5dB noise figure, while requiring 345mA from a 12V supply voltage (VDD).

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Frecuencia de operación
Voltaje operativo de suministro
Corriente de suministro operativa
Ganancia
NF - Valor de ruido
Tipo
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Tecnología
P1dB - Punto de compresión
OIP3 - Interceptación de tercer pedido
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Serie
Empaquetado
Analog Devices Amplificador de RF Distributed amp
Hoja de datos
121En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB Power Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Cut Tape
Analog Devices Amplificador de RF Distributed amp
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 10 Semanas
Mín.: 500
Múlt.: 500
Bobina: 500

0 Hz to 7.5 GHz 12 V 345 mA 15.5 dB 3.5 dB General Purpose Amplifiers SMD/SMT LFCSP-32 GaAs 28 dBm 39 dBm - 55 C + 85 C HMC637 Reel