Resultados: 3
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Polaridad de transistor
Tecnología
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Frecuencia de operación
Ganancia
Energía de salida
Temperatura operativa máxima
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Empaquetado
Ampleon Transistores RF MOSFET ART1K6FH/SOT539/TRAY
Hoja de datos
62En existencias
120Fecha prevista: 19/08/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C Screw Mount SOT539AN-5 Tray
Ampleon Transistores RF MOSFET ART1K6FHG/SOT1248/REEL
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 100
Múlt.: 100
: 100

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT1248C-5 Reel
Ampleon Transistores RF MOSFET ART1K6FHS/SOT539/TRAY
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 60
Múlt.: 60

Dual N-Channel LDMOS 55 V 84 mOhms 1 MHz to 425 MHz 28 dB 1.6 kW + 225 C SMD/SMT SOT539BN-5 Tray