QspiNAND Flash Memory

Winbond QspiNAND Flash Memory is high-performance, low-power memory built with Single-Level Cell (SLC) memory technology and implementing 1-bit Error Correction Code (ECC) on all read and write operations. The integrated ECC detects and corrects errors and enables contiguous good memory (bad block management). This feature offloads these functions from an external controller. The QspiNAND Flash Memory also supports Executive-in-Place (XiP) functionality, in which an SoC or processor executes application code directly from the external flash memory without shadowing it to DRAM.

Resultados: 4
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Serie Tamaño de memoria Tipo de interfaz Organización Tipo de temporización Anchura de bus de datos Tensión del suministro - Mín Tensión del suministro - Máx Corriente de suministro (máx.) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Empaquetado
Winbond Flash NAND 512Mb Serial NAND flash, 3V 3.328En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SMD/SMT WSON-8 W25N512GV 512 Mbit SPI 64 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 3V 430En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SMD/SMT TFBGA-24 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tray

Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 3V 1.180En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01GV 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 2.7 V 3.6 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube
Winbond Flash NAND 1G-bit Serial NAND flash, 1.8V 81En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Máx.: 100

SMD/SMT SOIC-16 W25N01JW 1 Gbit SPI 128 M x 8 Asynchronous 8 bit 1.7 V 1.95 V 35 mA - 40 C + 85 C Tube