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RD3U041AAFRATL

Name: ROHM Semiconductor RD3U041AAFRATL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RD3U041AAFRATL
Price: 1.92 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

755-RD3U041AAFRATL

Fabr. N.º:

RD3U041AAFRATL

Fabr.:

ROHM Semiconductor

Descripción:

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 250V(Vdss), 4.1A(Id), (10V Drive)

Hoja de datos:

RD3U041AAFRATL Hoja de datos

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1,92 €	1,92 €
	1,23 €	12,30 €
	0,833 €	83,30 €
	0,666 €	333,00 €
	0,63 €	630,00 €
Bobina completo(s) (realice el pedido en múltiplos de 2500)
	0,552 €	1.380,00 €
	0,545 €	2.725,00 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	ROHM Semiconductor
Categoría de producto:	MOSFET
RoHS:
Tecnología:	Si
Estilo de montaje:	SMD/SMT
Empaquetado / Estuche:	TO-252-3
Polaridad de transistor:	N-Channel
Número de canales:	1 Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	250 V
Id: corriente de drenaje continuo:	4 A
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia):	1.3 Ohms
Vgs (tensión de compuerta-fuente):	- 30 V, 30 V
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	5.5 V
Qg (carga de compuertas):	8.5 nC
Temperatura operativa mínima:	- 55 C
Temperatura operativa máxima:	+ 150 C
Pd (disipación de potencia):	29 W
Modo canal:	Enhancement
Empaquetado:	Reel
Empaquetado:	Cut Tape
Marca:	ROHM Semiconductor
Configuración:	Single
Tiempo de caída:	15 ns
Tipo de producto:	MOSFETs
Tiempo de establecimiento:	14 ns
Serie:	RD3
Cantidad del paquete de fábrica:	2500
Subcategoría:	Transistors
Tipo de transistor:	1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado:	18 ns
Tiempo de retardo de conexión típico:	15 ns
Alias de parte #:	RD3U041AAFRA
Peso unitario:	330 mg

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Atributos seleccionados: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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TARIC:: 8541290000
CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET

ROHM Semiconductor RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET features low on-resistance and fast switching. With simple drive circuits and a 250V drain-source voltage, the RD3U041AAFRA is suitable for switching applications. The ROHM RD3U041AAFRA N-Ch 250V 4A Power MOSFET is an automotive-grade MOSFET, which is AEC-Q101 qualified.