Automotive U-MOSX-H MOSFETs

Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are AEC-Q101 qualified with low drain-source on-resistance. These devices feature a low leakage current of IDSS = 10µA (max) (VDS = 100V). The Toshiba Automotive U-MOSX-H MOSFETs are ideal for automotive, switching voltage, regulators, DC-DC converters, and motor drivers.

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Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Cualificación
Empaquetado
Toshiba MOSFET N-ch MOSFET, 80 V, 0.0019 O@10V, SOP Advance(E), U-MOS?-H
Hoja de datos
3.381En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 5.000

Si SMD/SMT SOP-8 N-Channel 1 Channel 80 V 238 A 1.9 mOhms 20 V 3.5 V 108 nC + 175 C 250 W Enhancement Reel, Cut Tape
Toshiba MOSFET 375W 1MHz Automotive; AEC-Q101
Hoja de datos
Comentarios de Producto
606En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-220SM-3 N-Channel 1 Channel 100 V 160 A 1.92 mOhms - 20 V, 20 V 3.5 V 184 nC + 175 C 375 W Enhancement AEC-Q101 Reel, Cut Tape