SIEH4800EW-T1-GE3

Vishay
78-SIEH4800EW-T1-GE3
SIEH4800EW-T1-GE3

Fabr.:

Descripción:
MOSFET N-CHANNEL 80-V (D-S) MOSFET

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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Plazo de producción de fábrica:
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Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
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Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,13 € 5,13 €
3,57 € 35,70 €
2,58 € 258,00 €
2,56 € 1.280,00 €
2,17 € 6.510,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Vishay
Categoría de producto: MOSFET
Si
SMD/SMT
PowerPAK-8
N-Channel
1 Channel
80 V
34 A
1.15 mOhms
- 20 V, 20 V
4 V
278 nC
- 55 C
+ 175 C
3.4 W
Enhancement
Marca: Vishay
Tiempo de caída: 30 ns
Transconductancia delantera: mín.: 150 S
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 40 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 3000
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 45 s
Tiempo de retardo de conexión típico: 140 ns
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Atributos seleccionados: 0

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TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET

Vishay / Siliconix SiEH4800EW 80V TrenchFET® Gen IV N-Channel MOSFET is designed for high-efficiency power switching applications. Housed in a compact PowerPAK® 8mm x 8mm bond wireless (BWL) package, the SiEH4800EW delivers an exceptionally low on-resistance of 0.00115Ω at a VGS of 10V, minimizing conduction losses and improving thermal performance. With a maximum continuous drain current of 260A and a low gate charge of 117nC, the Vishay / Siliconix MOSFET is optimized for fast switching and high-current handling, making it ideal for use in synchronous rectification, motor drives, and high-performance DC-DC converters. A rugged design and advanced trench technology ensure reliable operation in demanding environments.