MOSFET de potencia de N canales OptiMOS™ 7 de 25 V

Los MOSFET de potencia de N canales OptiMOS™ 7 de 25 V de Infineon Technologies ofrecen un rendimiento optimizado para la aplicación, lo que permite un rendimiento máximo para centros de datos, servidores, IA y más. Los MOSFET están disponibles en topologías de conmutación dura y conmutación suave. Los dispositivos optimizados para conmutación dura cuentan con excelentes relaciones Miller, FOM y RDS(on). Los MOSFET optimizados para conmutación suave ofrecen un RDS(on) y FOMQg ultrabajos.

Resultados: 10
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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Nombre comercial
Empaquetado
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Hoja de datos
3.444En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 460 A 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
16.076En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 430 A 480 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.381En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 348 A 640 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.478En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 422 A 500 uOhms 12 V 1.7 V 29 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.426En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 406 A 540 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.321En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 298 A 500 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.478En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 338 A 680 uOhms 16 V 2 V 22 nC - 55 C + 175 C 130 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.189En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 282 A 800 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power -Transistor, 25 V
Hoja de datos
4.472En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 5.000

Si SMD/SMT N-Channel 1 Channel 25 V 275 A 840 uOhms 16 V 2 V 17.2 nC - 55 C + 175 C 107 W Enhancement OptiMOS Reel, Cut Tape
Infineon Technologies MOSFET OptiMOS 7 Power Transistor, 25 V
Hoja de datos
5.950Fecha prevista: 28/05/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
: 6.000
Si SMD/SMT PG-WHTFN-9 N-Channel 1 Channel 25 V 440 A 460 uOhms 16 V 2 V 27 nC - 55 C + 175 C 150 W Enhancement Reel, Cut Tape