FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET

onsemi / Fairchild FDD86102 N-Channel PowerTrench® MOSFET is produced using an advanced PowerTrench process that incorporates shielded gate technology. This MOSFET features fast switching speed and high power and current handling capability in a widely used surface mount package. The onsemi / Fairchild FDD86102 MOSFET is optimized for low rDS(on), switching performance, and ruggedness. Typical application includes DC/DC conversion.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench 11.960En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 8 A 19 mOhms - 20 V, 20 V 3.1 V 13.4 nC - 55 C + 125 C 3.1 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel

onsemi MOSFET 100V N-Channel PowerTrench MOSFET 881En existencias
12.500Pedido
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 2.500

Si SMD/SMT DPAK-3 (TO-252-3) N-Channel 1 Channel 100 V 42 A 31 mOhms - 20 V, 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 54 W Enhancement PowerTrench Reel, Cut Tape, MouseReel