2N7002H N-Channel Trench MOSFETs

Nexperia 2N7002H N-Channel Trench MOSFETs are enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) MOSFETs. The 2N7002H is housed in a small SOT23 Surface-Mounted Device (SMD) plastic package. The MOSFETs are logic-level compatible, have very fast switching, and are AEC-Q101 qualified.

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Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Empaquetado
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .36A 7.043En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-23-3 N-Channel 1 Channel 60 V 360 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 420 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT363 N-CH 60V .32A 7.495En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT TSSOP-6 N-Channel 2 Channel 60 V 320 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 320 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel
Nexperia MOSFET SOT323 N-CH 60V .31A 1.473En existencias
15.000Fecha prevista: 13/04/2026
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT SOT-323-3 N-Channel 1 Channel 60 V 310 mA 1.6 Ohms - 20 V, 20 V 2.4 V 300 pC - 55 C + 150 C 310 mW Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel