TK095N65Z5,S1F

Toshiba
757-TK095N65Z5S1F
TK095N65Z5,S1F

Fabr.:

Descripción:
MOSFET 650V DTMOS6-HSD TO-247 95mohm

Ciclo de vida:
Nuevo producto:
Novedad de este fabricante.
Modelo ECAD:
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En existencias: 30

Existencias:
30 Puede enviarse inmediatamente
Plazo de producción de fábrica:
20 Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.
Mínimo: 1   Múltiples: 1
Precio unitario:
-,-- €
Precio total:
-,-- €
Tarifa estimada:

Precio (EUR)

Cant. Precio unitario
Precio total
5,95 € 5,95 €
4,02 € 40,20 €
3,37 € 404,40 €
3,20 € 1.632,00 €

Atributo del producto Valor del atributo Seleccionar atributo
Toshiba
Categoría de producto: MOSFET
RoHS:  
Si
Through Hole
TO-247-3
N-Channel
1 Channel
650 V
29 A
95 mOhms
- 30 V, 30 V
4.5 V
50 nC
+ 150 C
230 W
Enhancement
Tube
Marca: Toshiba
Configuración: Single
Tiempo de caída: 4 ns
Tipo de producto: MOSFETs
Tiempo de establecimiento: 40 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 30
Subcategoría: Transistors
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Tiempo típico de retraso de apagado: 95 ns
Tiempo de retardo de conexión típico: 75 ns
Productos encontrados:
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Atributos seleccionados: 0

TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99

TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET

Toshiba TK095N65Z5 Silicon N-Channel (DTMOSVI) MOSFET is a 650V, 95mΩ high-speed MOSFET in a TO-247 package. Designed for use in switching voltage regulator applications, TK095N65Z5 offers a fast recovery time (115ns typical) and a low drain-source on-resistance (0.079Ω typical). This MOSFET provides high-speed switching properties with a low capacitance.

DTMOSVI MOSFETs

Toshiba DTMOSVI MOSFETs offer a low drain-source on-resistance of 0.033Ω (typical), a drain-source voltage of 650V, and a drain current of 57A. The DTMOSVI MOSFETs offer high-speed switching properties with lower capacitance. These MOSFETs are ideal for use in switching power supply applications.