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CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 1069.44 EUR
Availability: InStock

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Mouser REF:

941-CGHV35400F1

Fabr. N.º:

CGHV35400F1

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Hoja de datos:

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

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Cant.	Precio unitario	Precio total
	1.069,44 €	1.069,44 €

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Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440225
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.9 GHz
Energía de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

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Atributos seleccionados: 0

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Hoja de datos

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

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TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

HEMT de GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω y 400 W CGHV35400F

Los HEMT GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω, de 2,9 GHz a 3,5 GHz y 400 W CGHV35400F de Wolfspeed para aplicaciones de amplificadores de radar de banda S ofrecen una alta eficiencia, una elevada ganancia y amplias capacidades de ancho de banda. El transistor CGHV35400F está adaptado a 50 Ω en la entrada y a 50 ohmios en la salida.