Parece que JavaScript está deshabilitado en su navegador. Algunas funciones de esta página no funcionarán a menos que inicie sesión.

Volver a Resultados de la búsqueda

¿Ve algún error?

CGHV35400F1

Name: MACOM CGHV35400F1
Brand: MACOM
SKU: 941-CGHV35400F1
Price: 1353.03 EUR
Availability: InStock

Las imágenes son sólo para referencia
Ver especificaciones del producto

Mouser REF:

941-CGHV35400F1

Fabr. N.º:

CGHV35400F1

Fabr.:

MACOM

Descripción:

FET de GaN Amplifier,400W,GaN HEMT, 50V,2.9-3.5GHz

Hoja de datos:

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

Modelo ECAD:

Descargue el Cargador de bibliotecas gratuito para convertir este archivo para su herramienta ECAD. Obtenga más información del modelo ECAD.

Más información

Más información sobre MACOM CGHV35400F1

Alerta de envío:

Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.

En existencias: 1

Existencias:: 1

Puede enviarse inmediatamente

Se ha producido un error inesperado. Intente de nuevo más tarde.
Pedido:: 20

Fecha prevista: 09/10/2026
Plazo de producción de fábrica:: 26

Semanas Tiempo estimado para la producción en fábrica para cantidades superiores a las mostradas.

Plazo de entrega largo indicado para este producto.

Introducir cantidad:

Mínimo: 1 Múltiples: 1

Precio unitario:

-,-- €

Precio total:

-,-- €

Tarifa estimada:

Este producto se envía de forma GRATUITA

Precio (EUR)

Cant.	Precio unitario	Precio total
	1.353,03 €	1.353,03 €

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

Atributo del producto	Valor del atributo	Seleccionar atributo
Fabricante:	MACOM
Categoría de producto:	FET de GaN
Restricciones de envío:	Este producto puede requerir documentación adicional para las exportaciones a los Estados Unidos.
RoHS:
Estilo de montaje:	Screw Mount
Empaquetado / Estuche:	440225
Polaridad de transistor:	N-Channel
Vds (Tensión separación drenador-fuente):	125 V
Id: corriente de drenaje continuo:	24 A
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente):	3 V
Temperatura operativa mínima:	- 40 C
Temperatura operativa máxima:	+ 125 C
Marca:	MACOM
Ganancia:	11 dB
Frecuencia operativa máxima:	3.5 GHz
Frecuencia operativa mínima:	2.9 GHz
Energía de salida:	400 W
Empaquetado:	Tray
Tipo de producto:	GaN FETs
Cantidad del paquete de fábrica:	10
Subcategoría:	Transistors
Tecnología:	GaN
Tipo de transistor:	GaN HEMT
Vgs (tensión de separación compuerta-fuente):	- 10 V, 2 V

Productos encontrados:

Para mostrar productos similares, seleccione al menos una casilla

Seleccione al menos una casilla para mostrar productos similares dentro de esta categoría.

Atributos seleccionados: 0

Filtrar documento:

Hoja de datos

CGHV35400F1 Hoja de datos (PDF)

PCN

Esta funcionalidad requiere que JavaScript esté habilitado.

Códigos de cumplimiento

TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290055
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: 3A001.b.3.a.3

Clasificaciones de origen

País de origen:: Estados Unidos
País de origen del ensamblaje:: No disponible
País de difusión:: No disponible

El país puede cambiar en el momento del envío.

HEMT de GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω y 400 W CGHV35400F

Los HEMT GaN con coincidencia de E/S de 50 Ω, de 2,9 GHz a 3,5 GHz y 400 W CGHV35400F de Wolfspeed para aplicaciones de amplificadores de radar de banda S ofrecen una alta eficiencia, una elevada ganancia y amplias capacidades de ancho de banda. El transistor CGHV35400F está adaptado a 50 Ω en la entrada y a 50 ohmios en la salida.