Super Junction-MOS EN & KN MOSFETs

ROHM Semiconductor Super Junction-MOS EN and KN MOSFETs combine the low-noise characteristics of planar MOSFETs and the low ON-resistance characteristics of Super Junction MOSFETs. The EN series is offered in 600V and 650V versions and is recommended for power supply circuits requiring noise countermeasures. The fast-switching KN series is offered in 600V, 650V, and 800V variants and is recommended for power supply circuits demanding lower loss and greater efficiency.     

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 Fabr.
Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad.
Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología
Estilo de montaje
Empaquetado / Estuche
Polaridad de transistor
Número de canales
Vds (Tensión separación drenador-fuente)
Id: corriente de drenaje continuo
Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia)
Vgs (tensión de compuerta-fuente)
Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente)
Qg (carga de compuertas)
Temperatura operativa mínima
Temperatura operativa máxima
Pd (disipación de potencia)
Modo canal
Empaquetado
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 4A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 4 A 1.05 Ohms - 20 V, 20 V 5 V 10 nC - 55 C + 150 C 58 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 7A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 7 A 665 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 14.5 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 24 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 9A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 9 A 585 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 16.5 nC - 55 C + 150 C 94 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 40 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 15A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 15 A 315 mOhms - 20 V, 20 V 3 V 27.5 nC - 55 C + 150 C 184 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 2 V 61 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000
Bobina: 1.000

Si SMD/SMT TO-263-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 650V 20A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 20 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 650 V 20 A 205 mOhms - 20 V, 20 V 5 V 40 nC - 55 C + 150 C 231 W Enhancement Tube
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 6A 3rd Gen, Fast Switch
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 6 A 830 mOhms - 20 V, 20 V 5.5 V 12 nC - 55 C + 150 C 70 W Enhancement Reel
ROHM Semiconductor MOSFET Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Low Noise
Hoja de datos
No en almacén Plazo producción 18 Semanas

Si SMD/SMT TO-252-3 N-Channel 1 Channel 600 V 7 A 620 mOhms - 20 V, 20 V 4 V 20 nC - 55 C + 150 C 78 W Enhancement Reel