600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs

STMicroelectronics 600V MDmesh™ DM6 Super-junction MOSFETs are optimized for ZVS, full-bridge, and half-bridge topologies. With a breakdown voltage of 600V, the MDmesh DM6 Power MOSFETs combine an optimized capacitance profile and lifetime killing process. The STMicroelectronics 600V MDmesh DM6 Super-junction MOSFETs offer a low gate charge (Qg), very low recovery charge (Qrr), low recovery time (trr), and an excellent RDS(on) per area.

Resultados: 10
Seleccionar Imagen Número de referencia Fabr. Descripción Hoja de datos Disponibilidad Precio (EUR) Filtre los resultados de la tabla por precio unitario basándose en su cantidad. Cant. RoHS Modelo ECAD Tecnología Estilo de montaje Empaquetado / Estuche Polaridad de transistor Número de canales Vds (Tensión separación drenador-fuente) Id: corriente de drenaje continuo Rds encendido (drenaje de la fuente en resistencia) Vgs (tensión de compuerta-fuente) Vgs th (tensión umbral compuerta-fuente) Qg (carga de compuertas) Temperatura operativa mínima Temperatura operativa máxima Pd (disipación de potencia) Modo canal Nombre comercial Empaquetado
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET 508En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 0.094 Ohm typ., 25 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a PowerFLAT 8x8 2.682En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1
Bobina: 3.000

Si SMD/SMT PowerFLAT-8x8-5 N-Channel 1 Channel 600 V 25 A 110 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 44 nC - 55 C + 150 C 160 W Enhancement MDmesh Reel, Cut Tape
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 60 mOhm typ., 46 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea 589En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 38 A 71 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 54 nC - 55 C + 150 C 250 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 390En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 117 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube

STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-220 package 490En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 130 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 package 126En existencias
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 165 mOhm typ., 18 A MDmesh DM6 Power MOSFET in TO-220FP package No en almacén Plazo producción 14 Semanas
Mín.: 1.000
Múlt.: 1.000

Si Through Hole TO-220-3 N-Channel 1 Channel 600 V 18 A 195 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 24 nC - 55 C + 150 C 30 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 32 mOhm typ., 72 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO247-4 package Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 1
Múlt.: 1

Si Through Hole TO-247-4 N-Channel 1 Channel 600 V 72 A 36 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 446 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 35 mOhm typ., 63 A MDmesh M6 Power MOSFET in a TO-247 long lead No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 63 A 41 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 106 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube
STMicroelectronics MOSFET N-channel 600 V, 36 mOhm typ., 62 A MDmesh DM6 Power MOSFET in a TO-247 long lea No en almacén Plazo producción 16 Semanas
Mín.: 600
Múlt.: 600

Si Through Hole TO-247-3 N-Channel 1 Channel 600 V 62 A 42 mOhms - 25 V, 25 V 3.25 V 99 nC - 55 C + 150 C 390 W Enhancement MDmesh Tube